HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究

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  • 【作者】田媛
  • 【关键词】单晶 晶体生长 研究
  • 【出版社】东北大学出版社
  • 【出版日期】2019
  • 【ISBN】978-7-5517-2274-2
  • 【中图分类号】 O782
  • 【内容简介】本书介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法,内容包括采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶、高温退火法表征GaN中的位错、采用高温退火衬底生长自支撑GaN单晶、采用两步腐蚀衬底生长自支撑GaN单晶等。全部展开
  • 【页码】106页
  • 【文献类型】图书
  • 【所属馆】

    浙江图书馆

  • 【获取途径】
联合资源统一检索系统 超星 V2.0
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